| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 가을 (11/16 ~ 11/18, 경주 현대호텔) |
| 권호 | 22권 2호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 | 고신뢰성 결정질 산화물 반도체 소자 |
| 초록 | 차세대 디스플레이의 발전 방향이 대형화, 고해상도화, 고속구동화로 진행되면서 현재사용하고 있는 비정질 Si Thin film Transistor (TFT) 보다 우수한 품위의 TFT가 요구되고 있다. 이러한 요구에 따라, oxide물질을 반도체로 활용한 oxide TFT에 관한 연구가 지난 10년동안 활발히 진행되어 왔다. Oxide semiconductor는 비정질 형태를 지니고 있어 균일도 특성이 우수할 뿐만 아니라 비정질 Si TFT대비 높은 이동도 특성을 보이는 것을 장점으로 한다. 또다른 주요 특성인 전기광학신뢰성의 경우에도 그동안의 많은 연구를 통해 상당한 수준의 안정화를 이루어내었다. 하지만, 대형 AMOLED TV 적용을 위해서는 현재보다 더 안정적인 소자 특성이 요구되는 실정이다. 이를 위한 대안으로 기존 비정질 형태의 oxide semiconductor가 아닌 결정질 형태의 oxide semiconductor를 활용한 TFT에 대한 연구가 주목 받고 있다. 본 발표에서는 현재 가장 범용적으로 사용되는 InGaZnO 물질의 결정질 TFT 소자에 대한 특성에 대하여 논의하고자 한다. |
| 저자 | 권장연 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | <P>산화물; TFT; 결정질; 신뢰성</P> |
