| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 |
18권 1호 |
| 발표분야 |
C. 에너지/환경 재료(Energy and Environmental Materials) |
| 제목 |
selective emitter를 위한 POCl3 확산 연구 |
| 초록 |
selective emitter 기술은 접촉저항 감소를 위해 전면전극 아랫부분은 고도핑을 하고, 전면 전극과 전극 사이는 저도핑을 하여 device의 재결합 손실을 줄이는 기술이다. Selective emitter 형성 방법 중에 SiO2 확산방지막을 이용한 방법으로 그 두께에 따라 POCl3 확산 공정시, SiO2 박막를 통해 도펀트가 투과되어 도핑 또는 barrier 로써 도핑을 조절할 수 있는 반투과적인 특성이 보고되어 있다. 따라서, selective emitter 형성 시 SiO2 확산방지막을 사용하여 한번의 도핑으로 고도핑 및 저도핑을 동시에 형성시키면 공정단가를 낮출 수 있다는 장점이 있다. 본 연구에서는 selective emitter 형성을 위해 furnace 사용하여 POCl3 확산과 반투과성 SiO2 확산방지막을 증착하여 면저항에 대한 연구를 해보았다. p-type 실리콘 기판 위에 증착 된 SiO2 확산방지막은 두께는 ellipsometer를 통해 분석하였다. POCl3 확산은 도핑조건을 변화시킨 후 면저항을 측정하기 위해 BOE (buffered oxide etchant)로 SiO2 확산방지막을 에칭하여 4-point probe로 측정하였으며, 도핑 특성 평가는 SiO2 확산방지막 에칭 후에 QSSPC 측정을 통해 평가하였다. 이를 바탕으로 PC1D simulation을 통하여 도핑 특성에 따른 태양전지의 성능 평가하였다. |
| 저자 |
권철욱, 배수현, 박효민, 김영도, 박성은, 탁성주, 김동환
|
| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
Si solar cell; selective emitter; SiO2 barrier; POCl3 diffusion
|
| E-Mail |
|
