| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트) |
| 권호 |
15권 1호 |
| 발표분야 |
에너지환경재료 |
| 제목 |
실리콘 태양전지의 후면 점접촉 구조를 위한 Al 확산에 의한 국부 후면전계의 제조 |
| 초록 |
결정질 실리콘 태양전지의 알루미늄 후면전극이 패시베이션층의 공극을 통하여 확산됨으로써 국부 후면전계(local back surface field)가 형성되는 후면 점접촉 구조를 제조하였으며, 이에 대한 공정조건 및 특성을 연구하였다. 후면 패시베이션층은 실리콘 기판과 금속전극사이에 삽입됨으로써 표면 재결합속도를 낮추고, 후면 반사도를 높여 광흡수 경로를 증가시킬 수 있다. 고가의 사진식각기술 대신에 저가의 단순한 공정인 레이저 식각기술을 사용하여 후면 패시베이션층에 균일하고 잘 정렬된 공극 패턴을 형성할 수 있었다. 레이저 식각 조건 및 소성조건에 따른 Al 확산 국부 후면전계의 단면 형상을 주사전자현미경(SEM)을 사용하여 관찰하였으며 이에 대한 전기적, 광학적 특성 변화를 조사하였다. |
| 저자 |
이준성1, 권순우2, 송청호3, 박성은1, 박하영1, 송주용1, 박효민1, 윤세왕2, 김동환1
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| 소속 |
1고려대, 2대한제당 중앙(연), 3미래 컴퍼니 |
| 키워드 |
solar cell; silicon; aluminum; back surface field; back contact; laser ablation; passivation
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