| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트) |
| 권호 |
15권 1호 |
| 발표분야 |
에너지환경재료 |
| 제목 |
Hot water oxidation을 이용한 실리콘 표면층의 불순물 농도 조절 |
| 초록 |
본 연구에서는 hot water oxidation(HWO)을 이용하여 표면층에 도핑 된 불순물의 농도를 조절하였다. 일반적으로 P형 태양전지의 제조 공정에서 인(phosphorus) 확산을 통해 에미터(emitter)를 형성한다. 고농도로 인 도핑 된 실리콘의 표면에서 Auger 재결합(Auger recombination)은 운송자(carrier)의 수명을 줄이는 주된 원인이다. 80℃ 로 유지한 증류수에 인 도핑 된 웨이퍼를 넣고 실리콘 산화막(SiO2)을 성장시켰다. 실리콘 산화막의 생성여부는 젖음각(wetting angle) 측정을 통해 확인하였다. BOE용액을 통해 형성된 실리콘 산화막을 제거한 후 표면의 면저항을 측정하여 표면의 도핑 농도를 계산하였다. BOE 에칭만 반복한 웨이퍼에 비해 HWO 공정과 에칭 과정을 반복한 웨이퍼가 표면 불순물 농도가 빨리 낮아짐을 확인할 수 있었다. |
| 저자 |
박효민, 박성은, 송주용, 박하영, 강병준, 이준성, 김동환
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
hot water oxidation; doping concentration; phosphorus; diffusion; emitter; solar cells
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