| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1999년 봄 (04/23 ~ 04/24, 성균관대학교) |
| 권호 | 5권 1호, p.1613 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 초고 집적회로에서 층간 절연막으로 사용하기 위한 저 유전체 박막물질 증착 |
| 초록 | 평판형 안테나를 가진 유도 결합형 플라즈마 화학 증착 반응기를 이용하여 300Watt RF Power, 증착온도 200 oC, 그리고 Bias전압 -200V, 압력 100mTorr에서 동반가스로써 일정한 양의 알곤과 산소가스를 사용하면서 불소화탄소 원료원((Perfluoro-benzene(C6F6))과 SiO2원료원 (hexamethyl-disiloxane (HMDSO))의 비를 변화시키면서 불소화탄소/ SiO2 복합 박막 재료를 증착하여 결합구조, 유전상수, 열에 대한 안정성등의 박막 특성을 분석하였다. HMDSO/(HMDSO+C6F6)의 원료량의 비가 0.2에서 증착한 박막(유전상수=2.5)을 대상으로 300, 400, 그리고 500 oC로 온도를 상승하면서 열에 대한 안정성 실험을 수행하였다. 온도가 300 oC로 증가함에 따라 중량 및 유전상수의 감소는 -5%내에서 감소하였고 400 oC로 보다 더 증가함에 따라 거의 변화가 없음을 알 수 있었고, 유전상수의 변화는 오히려 2.5에서 2.2에로 감소하였다. 결론적으로, 이런 결과들로 미루어 보아 본실험에서 증착된 불소화탄소/SiO2의 복합박막은 초고 집적회로에서 층간 절연막으로 사용 가능성을 가지고 있다는 결론에 도달하였다. |
| 저자 | 김동선 |
| 소속 | 공주대 |
| 키워드 | ICP-HDPCVD; Low dielectric materials; composite thin films |
| 원문파일 | 초록 보기 |
