| 초록 |
기존 반도체 공정이 공정 미세화의 한계에 도달하면서 3차원 적층 구조의 메모리 소자 제작에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 연구되고 있는 차세대 메모리 중 간단한 구조, 집적도 향상에 적합한 셀 면적, 빠른 동작 속도 등의 장점을 가지고 있는 저항변화 메모리 또한 집적도 향상을 위해 소자들을 3차원으로 적층하는 구조로 제작하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 하지만 이러한 구조에서 발생하는 누설전류는 메모리 소자 작동시 sensing 오류를 일으키고 소비전력을 증가시키는 등의 문제를 발생시켜 이를 해결하는 것이 중요한 과제로 남아있다. 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해, 전기화학증착법을 이용하여 불필요한 누설전류를 억제 시킬 수 있는 소자를 개발하는 연구를 수행하였고, 또한 이를 플렉서블 플라스틱 기판에 적용함으로써 향후 플렉서블 메모리 소자로서의 응용을 모색하였다. 전기화학증착법을 이용하여 저항변화층 및 전극을 bottom-up 방식으로 증착하였다. 형성된 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 전기적 특성을 고찰하였고, 플렉서블 소자로서의 신뢰성과 내구성에 대해 평가하였다. |
