| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2008년 가을 (11/12 ~ 11/14, ICC 제주) |
| 권호 | 12권 2호 |
| 발표분야 | 무기재료 |
| 제목 | Amorphous InGaZnO4 thin films deposited by spin coating |
| 초록 | 최근 고효율의 박막형반도체 device에 대한 관심이 증가하면서 투명산화물 트렌지스터에 관한 연구도 활발해지고있다. 그 중 Amorphous Oxide Semiconductor는 전기적 우수성, 화학적 및 물리적 안정성 그리고 높은 광학적 특성을 가진다는 점에서 많은 관심을 모은다. 예를 들어 IO, ITO, ZIO, ZTO 가 그에 해당된다. 2004년 Hosono 연구진이 보고한 IGZO는 우수한 산화물 특성을 보이고, 3~4가지 물질의 결합으로 낮은 독성과 높은 전자이동도, 그리고 Ga이온이 첨가됨에 따라 전기적인 특성을 제어해준다는 장점을 가진다고 알려져있다.본 연구에서는 spin coater 를 이용하여 InGaZnO4를 용액법으로 증착시켰고, 증착시에 나타나는 de-wetting 현상과 그로 인해 야기되는 표면문제의 개선을 위해 solvent를 변화시켜 실험하였다. 분석방법은 UV, XRD, SEM, XPS를 이용하였다. |
| 저자 | 박미선1, 이두형1, 김대한2, 강진규2, 류시옥1 |
| 소속 | 1영남대, 2DGIST |
| 키워드 | IGZO; thin film; spin; TFT; Oxide; 산화물; 반도체 |
