| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2010년 봄 (04/08 ~ 04/09, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 35권 1호 |
| 발표분야 | 고분자 가공/복합재료 |
| 제목 | 유·무기 복합막을 이용한 박막 트랜지스터 절연막의 특성 연구 |
| 초록 | 차세대 디스플레이에 사용될 수 있는 박막 트랜지스터(TFT)는 낮은구동 전압을 위해서는 나노미터 스케일의 절연막 두께가 얇아야 하고 높은 유전 상수가 필요하다. 본 연구에서는 Ti, Al, Ta, La, Zr등의 금속알콕사이드를 이용하여 고분자와 복합 절연막을 형성하여 박막트랜지스터에 적합한 수십 nm두께의 절연막을 형성하였으며, 저전압에서 구동되는 TFT특성을 조사하였다. 플라즈마를 이용하여 실리콘 웨이퍼 또는 투명 전도성 플라스틱 기판을 표면 처리하여 사용하였으며, 유.무기 복합 절연막의 특성을 유기 반도체인 pentacene또는 무기 반도체를 적층하여 조사하였다. 무기 절연막의 상대적으로 큰 누설 전류가 유기 고분자에 의해서 그 특성이 개선되어 우수한 절연 특성을 보였다. |
| 저자 | 이진호, 황진아, 김홍두 |
| 소속 | 경희대 |
| 키워드 | Thin Film Transistors; Metal alkoxide; Organic-inorganic hybrid; Dielectric |
