| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2022년 봄 (04/20 ~ 04/23, 제주국제컨벤션센터) |
| 권호 | 28권 1호, p.868 |
| 발표분야 | [주제 4] 탄소중립(CCUS) |
| 제목 | Etching of SiO2 in inductively coupled plasmas using heptafluoropropyl methyl ether and perfluoropropyl carbinol |
| 초록 | SiO2 식각은 주로 CF4, c-C4F8 등의 perfluorocompound (PFC) 가스를 사용한다. 그러나 PFC 가스들은 global warming potential (GWP)이 높고 lifetime이 길어 환경에 유해하며 2021년 국가 온실가스 인벤토리 보고서에 따르면 해마다 PFC 가스 사용량이 증가하고 있다. 따라서 PFC 가스 배출량을 줄이기 위한 기술이 필요하다. 그 중 하나로 PFC보다 GWP가 낮은 fluoro-ether나 fluoro-alcohol을 이용한 식각기술 연구가 진행되고 있다. 예를 들어, fluoro-ether인 heptafluoropropyl methyl ether (HFE-347mcc3)와 fluoro-alcohol인 perfluoropropyl carbinol (PPC)의 GWP는 각각 ~530과 ~95로 PFC보다 낮다. 본 연구에서는 HFE-347mcc3와 PPC를 사용해 source power, gas composition, bias voltage 변화에 따른 SiO2 식각특성을 비교했다. 또한 이온의 입사각도에 따른 식각속도 각도의존성, SiO2 표면에 형성된 정상상태 불화탄소 박막의 두께 및 F/C ratio 변화를 분석하여 식각 매커니즘을 설명했다. |
| 저자 | 선은재, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | 재료(Materials) |
| 원문파일 | 초록 보기 |
