| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2017년 봄 (05/17 ~ 05/19, 목포 현대호텔) |
| 권호 |
23권 1호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 |
사파이어 기판의 플라즈마 전처리가 AlN 버퍼층을 사용한 GaN template에 미치는 영향 |
| 초록 |
최근 고효율 LED 생산을 위한 고품질 GaN template 제작을 위해 AlN buffer layer에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이미 몇몇의 기업에서는 양산에 적용되고 있으며, 품질 향상을 위한 연구 개발이 지속적으로 이루어지고 있다. Sapphire 기판 표면 상태를 질화화여 AlN buffer layer 증착하는 것이 박막질 향상에 도움이 되는 것은 실험적으로 잘 알려진 상태이다. 이러한 현상을 심화 분석을 하기 위해 본 연구에서는 기판의 플라즈마 전처리 효과에 대해 연구를 진행 하였고 최종적으로 GaN의 박막 품질 향상에 어떠한 영향을 미치는지 알아보기 위해 증착하는 과정별로 여러 분석을 통하여 확인하였다. 해당 연구는 2016년도 산업통상자원부 신성장동력 장비 경쟁력 강화 사업(과제번호:10067492)의 연구비 지원에 의해 수행 되었음. |
| 저자 |
정우섭, 김대식, 조승희, 박준성, 변동진
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
AlN; plasma; GaN; sapphire
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| E-Mail |
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