| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2006년 가을 (10/27 ~ 10/28, 고려대학교) |
| 권호 |
12권 2호, p.1403 |
| 발표분야 |
고분자 |
| 제목 |
Photoresist for 193nm Immersion Lithograhpy, Applicable for the Resist Reflow Process |
| 초록 |
Electronic Device의 최소 Feature Size가 작아짐에 따라, Immersion Lithography와 RRP(Resist Reflow Process)를 이용하여 해상도를 증가시키기 위한 노력들이 시도되어지고 있다. Immersion Lithography란 노광 렌즈와 포토레지스트 사이에 굴절률이 높은 H2O와 같은 Fluid를 넣음으로써, 해상도를 향상시킬 수 있는 차세대 노광 기술이며, Resist Reflow Process는 Development후 Resin의 Tg 이상의 온도인 150~160℃의 온도를 가하여, 패턴의 크기를 축소시킬 수 있는 공정 기술이다. 그러나, immersion Lithography에 적용될 수 있는 포토레지스트를 만들기 위해서는 H2O 저항성이 우수하고, 포토레지스트 위에 포토 레지스트 조성물의 Leaching을 방지하기 위해 coating되는 TARC(Top Anti-Reflective Coating)에 의한 Loss가 적은 소수성(Hydrophobic) 레진이 적합하다. 그리고, Resist Reflow Process에 적용시키기 위해서는 Tg가 낮고, 온도 변화에 따른 패턴 크기의 변화가 작은 것이 유리하다. 이 논문에서는 immersion Lithography와 Resist Reflow Process가 동시에 가능한 레진을 설계하여, 포토레지스트로서의 특성을 관찰하였고, 고해상도 Immersion용 포토레지스트로서의 가능성을 시험하였다. |
| 저자 |
김상진, 박주현, 김경문, 서동철, 조승덕, 주현상, 송지영, 임현순, 권민원, 김진호
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| 소속 |
금호석유화학 |
| 키워드 |
193nm; 포토레지스트; Immersion; Lithography
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| 원문파일 |
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