| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트) |
| 권호 |
15권 1호 |
| 발표분야 |
반도체재료 |
| 제목 |
용액공정 기반의 저온 소성 가능한 Aluminum Indium Oxide (AIO) 박막 트랜지스터 |
| 초록 |
산화물 반도체는 넓은 밴드갭을 갖고 있어 가시광선 영역에서 투명하고 환경적으로 안정하며 비교적 높은 전하 이동도를 보이는 장점이 있어 최근 디스플레이 구동 소자 및 스마트 창 등으로 활용하려는 시도들이 많이 이루어지고 있다. 본 연구에서는 간단하고 경제적인 솔-젤 반응을 통하여 뛰어난 전기적 특성을 보이는 새로운 조성의 알루미늄-인듐 산화물 (AIO) 박막트랜지스터를 제작하였다. TGA 분석을 통하여 350 ℃에 도달 하기 전에 모든 열 분해가 이루어지고 산화물이 형성되는 것을 볼 수 있었다. 형성된 박막의 내부 구조의 분석은 XRD와 UV-VIS spectroscopy를 이용하여 이루어졌다. 그 결과 Al 원자가 In2O3 lattice의 In 원자를 치환하여 격자의 구조가 변화되었음을 확인할 수 있었다. 그리고 출발 물질 용액 내의 Al과 In의 비율 변화에 따라 전기적인 특성과 결정화도가 크게 변화하는 현상을 볼 수 있었다. 제작된 AIO 박막 트랜지스터는 가시광선 영역에서 90% 이상의 높은 투과도를 보였고 n형 반도체 특성을 보였다. 최적화된 AIO 박막 트랜지스터는 전하 이동도가 19.6 cm2/Vs, sub-threshold slope이 0.3 V/dec 그리고 on-to-off current ratio가 108 이상으로 디스플레이 소자를 구동하기 충분한 특성을 보였다. |
| 저자 |
황영환, 전준혁, 서석준, 배병수
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| 소속 |
한국과학기술원(KAIST) 신소재공학과 광학재료연구실 (LOMC) |
| 키워드 |
용액공정; AIO; 산화물반도체
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