| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1997년 봄 (04/25 ~ 04/26, 동국대학교) |
| 권호 | 3권 1호, p.1261 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | CVD법을 통하여 Si 기판에 Y계 초전도 박막의 제조 |
| 초록 | 본 연구에서는 β-diketone 킬레이트 화합물을 원료물질로 사용하여 먼저 세라믹 기판에서Y계 고온 초전도 박막의 증착조건을 확립한 후 Si 기판에 직접 Y계 초전도 박막을 제조하였다.CVD 장치로 650℃와 0.0126Torr의 제조조건에서 Si 기판에 Y계 초전도 박막을 제조한 결과TC,onset은 91K로 나타났지만 TC,0는 액체질소 비등점에서는 나타나지 않았지만, 증착시간을 늘려 Si 기판에 Y계 초전도 박막을 제조했을 때 Ba silicate가 사라졌다. |
| 저자 | 양석우, 김영순, 이영민, 박정식, 조익준, 신형식 |
| 소속 | 전북대 |
| 키워드 | CVD; Si substrate; microelectronics; Tc |
| 원문파일 | 초록 보기 |
