| 초록 |
투명전도막은 높은 투과도(＞80%) 및 낮은 면저항(＜10-3Ω‧cm) 특성으로 인해 태양전지, 평판 디스플레이, 발광 다이오드, 투명 트랜지스터 등 다양한 광전소자에 응용되고 있다. 이러한 투명전도막의 재료로는 주석 도핑 인듐 산화물(ITO), 불소 도핑 주석산화물, 알루미늄 도핑 아연산화물, 안티몬 도핑 주석산화물(Sb-doped SnO2, ATO) 등이 있으며, 그 중에서 ITO는 우수한 투과도 및 면저항 특성, 우수한 에칭 성능 등의 장점으로 인해 상업적으로 활용되고 있으나 원료인 인듐의 가격 상승과 열 및 산에 취약하여 특성이 급격히 저하되는 문제점을 가지고 있다. 이에 따라 ITO를 대체할 목적으로 높은 투과도 및 면저항 특성, 우수한 열적 및 화학적 안정성, 저렴한 가격 등의 장점을 갖는 ATO을 활용한 연구가 관심을 받고 있다. 현재까지 우수한 특성의 ATO 박막을 제조하기 위해 주로 진공기반 공정을 사용되고 있지만 이는 높은 진공분위기와 복잡한 공정기기 및 증착과정이 필요로 하기에 투명전도막의 가격상승과 대면적화가 제한된다는 단점이 존재한다. 그에 반해 용액기반 공정에 해당하는 초음파분무열분해법은 프리커서를 포함하는 액적을 초음파를 통해 가열된 기판 위에 분무하여 액적의 열분해로 인한 핵 성장을 통해 저렴하고 간단하게 고품질의 균일한 막을 형성이 가능한 증착법으로 최근 활발한 연구가 진행 중에 있다. 따라서 본 연구에서는 초음파분무열분해법을 이용하여 ATO 박막을 제조하였으며, 그 몰농도를 조절하여 그에 따른 구조적, 화학적, 전기적 및 광학적 특성을 평가하였다. 본 학회에서 위의 내용에 대하여 자세히 논의할 것이다. |
