| 초록 |
나노미터의 크기를 가지는 금속 반도체 화합물은 그 물리화학적인 성질과 광전자 성질이 기존의 마이크로미터 크기의 입자와는 전혀 다른 특성을 보인다. 최근 들어서 나노 반도체 화합물에 대한 관심으로 화합물의 성장 메카니즘 규명 뿐 아니라 반도체화합물의 성질을 이용한 분자회로, 광전소자 및 센서 등에 응용하려는 연구가 진행되고 있다. CdSe, CdS나 CdTe 그리고 ZnS같은 II-VI족 화합물은 벌크일 경우 에너지 갭이 근적외선 영역에 해당하나, 크기가 작아짐에 따라 에너지 갭의 증가와 양자효과로 인해 가시광선 영역의 에너지 갭을 갖는 것으로 알려져 있어 가시광선 영역의 광소자의 소재로 사용될 수 있다. 본 연구는 II-VI 족 반도체 나노입자의 분자형태의 전구체에 의한 방법에서 주로 사용되는 용매는 TOPO를 이용하여 TOPD/TOP가 코팅된 CdSe나노입자를 합성하고 이를InGaN 칩의 형광층으로 사용하여 발광소자를 제조하였다. 이를 위해서 형광층으로 사용되는 나노입자의 코팅 조건을 조절하여 발광소자를 제조하였으며, 제조된 발광소자를 이용하여 발광특성 결과를 분석하였다.제조된 나노입자는 녹색과 적색영역에서 매우 우수한 발광성능을 보였으며, 제조된 녹나노입자를 이용한 발광소자의 특성을 분석한 결과 충분하게 여기됨을 확인하였다. 그리고 나노입자와 에폭시 레진의 비율을 조절하여 백색광에 가까운 발광특성을 가지는 광전환 발광소자를 제조할 수 있었다. |
