| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2009년 가을 (10/22 ~ 10/23, 일산 KINTEX) |
| 권호 |
15권 2호, p.2213 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
Characterization of InGaN/CdSe Nanoparticles Luminescence Conversion LED by Emitting Source |
| 초록 |
현재까지의 연구는 반도체 II-VI족 화합물을 이용하여 다양한 합성방법으로 나노입자를 형성하는 발광소자를 제작하는 것이다. 반응방법으로는 열융해 합성법이 가장 많이 이용되고 있으며 이를 응용하여 간단한 구조의 발광소자를 제작하는 성과를 거두고 있다. 최근에는 기존의 유기발광소자 형태의 발광소자 제조 연구뿐 만 아니라 반도체 LED칩의 형광체를 나노입자로 대체하는 연구가 활발하게 진행 중이다. 본 연구는 대표적인 II-VI 족 반도체 나노입자인 CdSe나노입자를 열융해 방법을 이용하여 TOPD/TOP가 코팅된 나노입자를 합성하였다. 합성된 나노입자를 400nm와460nm에서 발광하는 InGaN 칩의 형광층으로 사용하여 발광소자를 제조하였다. 최적의 발광소자를 제조하기 위해서 형광층으로 사용되는 나노입자의 코팅 조건을 조절하여 발광소자를 제조하였으며, 제조된 발광소자를 이용하여 발광특성 결과를 분석하였다. |
| 저자 |
박관휘, 정원근, 유홍정, 김성현
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
CdSe; EL; Luminescence Conversion; White Light
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| E-Mail |
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| 원문파일 |
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