화학공학소재연구정보센터
학회 한국화학공학회
학술대회 2001년 가을 (10/19 ~ 10/20, 한밭대학교)
권호 7권 2호, p.5159
발표분야 재료
제목 NiFe, CoFe 박막의 습식 식각 특성
초록 본 연구는 자성물질의 습식식각 뿐만 아니라, 건식식각 후 생기는 식각잔유물(Etch residue)을 제거하는방법으로도 활용되어질 수 있는 NiFe, CoFe 박막의 습식 식각 특성에 관한 연구이다. 실험은 자성물질 중에서 NiFe과 CoFe박막을 택하고, 식각용액(etchant)으로 HNO3와 HCl을 사용하여, 각 식각용액에 따른 자성박막들의 식각특성을 알아보았다.
저자 변요한, 김혜인, 정지원
소속 인하대
키워드 Wet etch; MRAM(Magnetic Random Access Memory)
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