| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | 초음파 분무법에 의해 제조된 F-doped SnO2 투명전도막의 막 두께에 따른 결정 성장 |
| 초록 | FTO (F-doped Tin Oxide)투명 전도막은 ITO(Indium Tin Oxide)가 갖고 있는 온도 및 약품에 대한 취약점이 없고, 전기적, 광학적 특성이 우수한 박막으로 알려져 있다. 본 연구에서는 경제적인 초음파 분무법을 이용하여 고가의 공정장비가 필요 없이 균일하게 코팅하는 것이 가능한 FTO 투명전도막을 제조하였다. 분무액은 NH4F와 Tin(Ⅳ) chloride (SnCl4․5H2O)시료를 물에 포화시켰으며, 산화알루미늄붕규산유리(Alumino borosilicate glass)기판을 사용하여 500℃분위기에서 분무하고 액적이 기판에 도달하면 SnO2와 F가 기판위에서 반응하여 FTO 투명전도막이 형성 되도록 하였다. FTO 박막 성장에 따른 막 두께는, 초기 결정의 크기가 작아 결정립이 많이 존재하며 막 두께 증가에 따라 결정립들이 주상으로 매우 커지는 현상을 관찰할 수 있다. 이로 인해서 막의 치밀화가 이루어지고 전기저항이 감소하는 것을 확인할 수 있다. 그러나 매우 큰 결정 성장은 광 산란을 초래해 광 투과율을 감소시킨다. 약 800nm의 두께에서 80% 투과율과 비저항 ~10-4Ω-cm 나타내며 박막의 입자 성장에 따른 결정구조, 전기적 성질, 광학적 성질과 XPS분석을 본 발표에서 토론 하고자 한다. |
| 저자 | 송철규1, 류도형1, 허승헌1, 김창열1, 조광연1, 정영근2, 좌용호3 |
| 소속 | 1요업(세라믹)기술원, 2부산대, 3한양대 |
| 키워드 | Transparent Conducting Oxide; F-doped Tin Oxide; Pyrosol |
