| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2014년 봄 (05/15 ~ 05/16, 창원컨벤션센터) |
| 권호 |
20권 1호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 |
In doped ZTO 기판 산화물 반도체의 TFT 소자 특성에 대한 Cu-O 계면 층의 Ca element doping의 영향 |
| 초록 |
고 이동도(~10cm/Vs), 낮은 공정온도 및 높은 투과율 등의 특성을 갖는 산화물 반도체는 저 소비전력, 대면적화 및 고해상도 LCD Panel에 적합한 재료로서 현재 일부 Mobile Panel 및 TFT-LCD Panel의 양산에 적용되고 있으나, 향후 UHD급(4K, 8K)의 대형, 고해상도 Panel에의 적용을 위해서는 30cm2/Vs 이상의 고 이동도 재료의 개발 및 저 저항 배선의 적용에 따른 소자 신뢰성의 개선이 필요하다. Cu는 대표적인 저 저항 배선 재료로 일부 양산에 적용되고 있으나, Cu 전극과 산화물 반도체의 계면에서 Cu원자의 확산 및 Cu-O 층의 형성에 의한 소자 특성 저하의 문제가 있다. 본 연구에서는 고 이동도의 In doped-ZTO계 산화물 반도체를 기반으로 채널 층과 Cu source-Drain layer의 계면에서의 Cu element의 거동 및 TFT 소자 특성과의 상관관계를 고찰하고, 계면에 형성된 Cu-O layer에 대해 높은 전자 친화도를 갖는 Ca element를 첨가에 의한 TFT 소자 특성의 변화를 관찰하였다. In doped-ZTO 채널 층과 Cu source-drain 계면에 CZTO layer를 형성하여 TFT 특성을 확인한 결과, Field-effect mobility: ~31cm2/Vs, Sub-threshold swing: 1.7mV/decade 및 Vth:, 0.97V의 결과가 얻어졌다. |
| 저자 |
김신1, 오동주1, 이상호1, 황아영2, 정재경2, 한동석3, 박종완3
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| 소속 |
1한국알박 초재료(연), 2인하대, 3한양대 |
| 키워드 |
IZTO; Barrier Layer; Cu-O; Cu-Ca; CZTO
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| E-Mail |
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