| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2016년 가을 (11/16 ~ 11/18, 경주 현대호텔) |
| 권호 |
22권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 |
Fabrication of p-type SnO Thin Film Transistor by Reactive Sputtering |
| 초록 |
p형인 SnO는 밴드갭이 2.7~3.4eV이며 전기전도도가 ZnO, NiO 보다 좋다. 그러나 n형인 SnO₂, MoS₂, IZGO 와 같은 물질보다 연구가 많이 이뤄지지 않았다. 하지만 최근에는 p-type 반도체에 관한 연구가 꾸준히 이뤄지고 있다. 이에 본 연구에서는 p형 SnO 박막에 대한 조건별 분석과 TFT(Thin Film Transistor) 소자를 구현했다. 이 과정에서 증착 온도와 Ar, O₂분압을 달리하여 박막의 우선성장방향(Preferred Orientation)의 변화에 대해 관찰하였다. 증착 후 X-선 회전분석기(XRD), 라만분광기(Ramn Spectroscopy)를 통하여 Si위에 성장된 박막의 결정 구조에 대해 관찰하였고, XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 통하여 결합상태와 상대적인 구성비를 확인하였다. 또한 주사현미경(SEM)으로 미세 구조를 분석하였다. → 더 나아가 p-type SnO TFT 소자를 제작하여 전기적 특성을 종합적으로 분석하였다. |
| 저자 |
한광희1, 오태경1, 문병무2, 주현수1, 이전국1
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| 소속 |
1한국과학기술(연), 2고려대 |
| 키워드 |
<P>SnO; p-type Oxide material; Thin Film Transistor; Reactive Sputtering </P>
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