| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Metal Organic Chemical Vapor Deposition법을 이용한 Ge 전구체의 증착특성연구 |
| 초록 | 본 연구에서는 차세대 상변화메모리와 초고속 소자 등의 응용을 위하여 주목받고 있는 Ge 물질을 Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD)를 이용하여 증착실험을 실시하였다. Ge 전구체는 Ge(allyl)4를 사용하였고, 기판으로는 Si, SiO2 기판을 사용하였다. 실험변수로는 증착압력, 증착온도, reactive gas(H2) 유량, carrier gas(Ar) 유량, 등을 변수로 하여 실험을 실시하였다. 제조된 소재에 대하여 FE-SEM, XRD 등을 통하여 기본적인 물성분석을 실시하였다. 실험결과 증착압력이 대기압에 가까울수록 증착률은 확연히 증가함을 알 수가 있었다. 또한 carrier량이 증가할수록 증착률 증가는 물론 표면형상이 나노파티클에서 나노와이어 형상을 나타내었다. |
| 저자 | 김봉준, 김선희, 이준기 |
| 소속 | 전남대 |
| 키워드 | MOCVD; Ge precursor |
