| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | InP 기판위에 MOCVD로 성장된 In0.52Al0.48As 박막에서의 3가지 형태의 규칙상의 공존 |
| 초록 | 이원계 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체는 광전소자 분야에 다양한 용용성을 보여주고 있다. 그러나 LED나 레이저 다이오드 소자등에 유용한 파장을 얻고, 기판과의 격자 상수 정합을 위해서는 삼원계 합금을 형성해야 한다. 그러나 격자 상수 차이가 큰 두 이원계를 혼합한 삼원계 화합물에서는 열역학적으로 상분리 현상이 예상되어지고, 또한 규칙 현상도 관찰되는 것으로 보고되고 있다. 특히 본 연구에 사용된 In0.52Al0.48As 박막은 광통신 소자에 우수한 특성으로 인해 도입되고 있지만 구조적으로 상분리 및 규칙현상이 자주 관찰된다. 앞서 보고된 규칙 현상은 대부분 CuPt 형태의 규칙(ordering) 현상에 대해서만 보고되어 있고, CuAu를 비롯한 기타 규칙 현상에 대해서는 잘 알려저 있지 않다. 본 연구에서는 MOCVD를 사용하여 (001) InP 기판위에 성장시킨In0.52Al0.48As 박막에서의 규칙현상을 투과전자현미경(TEM)을 사용하여 관찰하였다. 단면시편의 관찰 결과, 명시야상 이미지에서 박막 표면에 여러 개의 V 모양의 상이 관찰되었고 이 지역에서의 회절패턴과 고분해능 사진을 통하여 {111}에 2배주기를 가진 CuPt 형태의 규칙상이 관찰되었다. 또한 평면시편의 관찰결과, [220] 방향을 따라 막대기 형태의 상이 관찰되었고, 회절패턴 분석 결과 투과빔과 {200} spot 주위에서 12개의 초격자 회절빔이 관찰되었다. 여기서 얻어진 SADP에 기초하여 [120] 방향을 따라 4배주기를 보이는 chalcopyrite 와 [010] 방향을 따라 2배주기를 보이는 CuAu 형태의 규칙상의 원자 배열을 설명하였다. 그러므로 In0.52Al0.48As 박막에서 3가지 형태의 규칙상의 공존을 설명하였다. 본 연구는 산업자원부 지방기술혁신사업(RTI04-01-03) 지원으로 수행되었습니다. |
| 저자 | 김동찬, 조형균 |
| 소속 | 동아대 |
| 키워드 | In0.52Al0.48As; ordering; TEM |
