| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 | 18권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | 초음파 분무 MOCVD법으로 증착한 ZnO 박막의 증착 두께에 따른 미세구조 및 특성 |
| 초록 | Wurtzite 구조를 가지는 ZnO는 광전소자나 평판 표시 소자에 대한 투명 전도성 박막, 계기용 패널에 대한정전방지코팅, 압전 특성을 이용한 광학소자, 표면 탄성과 필터 등의 소자에 사용되고있다. 일반적으로 sputtering 법을 비롯해 ALD, PLD 등이 이용되고 있다. 이에 비해 대면적 기판에 균일한 증착이 용이하고 증착속도가 비교적 빠르며 특히 단차피복 특성이 우수한 박막을 제조할 수 있는 화확증착법(CVD)으로 ZnO 박막을 제작한 연구보고는 매우 드문 상황이다. 이는 CVD의 출발 원료로 사용하기에 적적한 Zn 화합물이 드물기 때문이라고 생각한다. 본 연구에서는 초음파 분문 MOCVD법을 이용하여 일반적인 CVD의 출발원료로는 사용하기 힘든 Zn acetylacetonate를 출발 원료로 225~300 사이의 저온에서 ZnO와 Al-doped ZnO박막을 제조 하였으며, 증착 두께에 따른 박막의 특성과 미세구조의 영향에 대해 조사 하였다. 증착된 모든 박막에서 결정화가 이루어 졌으며, (002) 면에서 우선 배향을 하였고, 박막의 비저항은 증착 온도가 증가 함에 따라 감소했다. Pure ZnO 박막의 경우 두께에 상관없이 주상정 조직이 성장 하였으나, Al-doped ZnO 박막의 경우 초기 단계인 두께 2000Å까지만 주상정 조직이 성장 한 다음, 바위 모양의 큰 결정립들로 구성되었다. |
| 저자 | 김도우, 이춘호 |
| 소속 | 계명대 |
| 키워드 | MOCVD; ZnO; AZO |
