화학공학소재연구정보센터
학회 한국화학공학회
학술대회 2005년 봄 (04/22 ~ 04/23, 여수대학교)
권호 11권 1호, p.846
발표분야 재료
제목 실란 펄스 플라즈마 공정에서의 화학 농도 변화에 대한 공정 변수의 영향
초록 본 연구에서는 미립자 생성이 상당히 억제되고 양질의 비정질 규소 박막을 높은 증착 속도로 제조할 수 있는 펄스 플라즈마 공정에서의 화학종들의 농도 변화를 공정 변수를 변화시켜가며 조사하였다. SiH4 플라즈마 반응기에서 화학종에 대한 물질수지식에 플라즈마 화학반응, 유체대류, 확산 및 전기적 이동 (electrical migration) 등의 영향을 고려하였다. SiH4 펄스 플라즈마 공정에서의 플라즈마 화학을 분석하기 위해 음이온을 입자 생성을 위한 전구체로 가정하고 음이온 클러스터들의 성장 반응에 중요하게 관련된 31개의 화학종들과 36개의 화학 반응식들을 고려하였다. plasma-on 시간이 증가하거나 plasma-off 시간이 감소함에 따라 펄스 플라즈마 반응기에서의 SiHx 라디칼들의 농도는 증가하였다. SiH4 플라즈마 공정에서 주로 SiHx 라디칼의 증착에 의해 성장되는 a-Si:H 박막의 증착 속도는 plasma-on 시간이 증가하거나 plasma-off 시간이 감소함에 따라 증가하였다. 또한 plasma-on 시간이 증가하거나 plasma-off 시간이 감소함에 따라 펄스 플라즈마 반응기에서 음이온들의 농도는 감소하였다. 본 연구의 결과로부터 펄스 플라즈마 공정의 사용으로 나노크기 클러스터들의 생성과 성장은 효과적으로 억제될 수 있었다.
저자 김동주, 김교선, Nasonoba Anna
소속 강원대
키워드 펄스 플라즈마 공정; 플라즈마 화학; 박막 제조
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원문파일 초록 보기