| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 화학적 기상 증착법에 의한 Poly(3-hexylthiophene)(P3HT)의 증착 및 자기조립단분자막을 이용한 패터닝 방법 (Deposition of Poly(3-hexylthiophene)(P3HT) by vapor deposition and patterning using Self-Assembled Monolayers) |
| 초록 | Poly(3-hexylthiophene)(P3HT)은 OTFT에서 활성층이나 OLED에서 p형 수송층으로 각광 받고 있는 전도성 고분자 재료이다. 기존의 P3HT의 형성방법 중 가장 널리 쓰이는 방법은 솔벤트에 용해 시킨 액상의 P3HT를 스핀 코팅하는 방법이였다. 본 연구에서는 SiO2를 성장 시킨 wafer 위에 촉매제 및 dopant로 작용하는 Fe-tosylate를 스핀코팅하여 도포한 후 단분자인 3-hexylthiophene을 기화 시키는 화학적 기상 증착법을 사용하여 P3HT 박막을 형성시켰다. P3HT의 전도도는 약 ~0.5 S/cm로서 기존의 P3HT의 형성 방법 이였던, solvent cast 및 melt quenching 방법 보다 전도도가 향상되었다. 또한 이렇게 얻은 P3HT의 박막을 1N-NaOH에 dipping 시킨 결과 박막에 존재하는 dopant들이 dedoping 되어 반도체 층으로서의 적용 가능성을 확인하였다. P3HT를 wafer 위에 선택적으로 증착 시키기 위해서 SAMs (자기 조립 단분자막)를 μ-contact printing 방법을 이용하여 패터닝 하였고, 그 결과 P3HT 박막이 SAMs 패터닝과 동일하게 선택적으로 증착 되는 것을 확인 하였다. 분석은 AFM, Optic microscope, 4-point probe, FT-IR를 사용하였다. |
| 저자 | 팽일선, 김성수, 김현호, 이재갑 |
| 소속 | 국민대 |
| 키워드 | conducting polymer; SAMs; OTFT; P3HT |
