| 초록 |
양극산화 알루미늄 기판에 다양한 물질을 채워 넣으면 광전자소자, 단전자소자, 나노 와이어 등을 저렴한 가격으로 만들 수 있으며 특히 저장 매체로 이용할 경우 저장 밀도를 1Tb/in2 이상으로 구현할 수 있어 현재의 저장 매체를 대체할 방법으로 각광 받고 있다. 이는 Co-Pt합금이 high recording density를 갖기 위한 높은 자기 이방성과 높은 보자력을 갖고 있기 때문이다. 본 실험에서는 고밀도 저장 매체 제작에 응용하기 위해 양극 산화 알루미늄 기판에 Co-Pt 합금을 채워 넣어 그 특성을 조사하였다. 양극 산화 알루미늄 기판은 실리콘웨이퍼에 E-beam evaporator를 이용하여 Al박막을 1μm 두께로 쌓은 후 2단계 양극산화를 이용하여 양극 산화 알루미늄 기판을 제작하였다. 최적의 조건을 얻기 위해 온도, 농도, 전압 등 다양한 조건에서 양극 산화를 수행 하였으며 그 결과 40V, 0.3M 5C에서 가장 이상적인 양극산화 기판을 얻을 수 있었다. substrate와 alumina층 사이의 barrier층은 옥살산 하에서 전압을 점차 낮춰가며 제거하였으며 여기에 Co-Pt합금을 도금하여 충진하였다. 도금액의 pH, 농도 그리고 온도와 전류밀도를 조절하여 도금조건을 선택하였으며 그 결과 높은 Co-Pt합금의 보자력을 얻을 수 있었다. Co-Pt 나노와이어의 길이는 4~500nm로 다양하게 조절하였으며, 이때 직경은 직경은 3~5nm 정도로 하였다. 나노 와이어가 충진된 양극 산화 알루미늄 기판의 자기적 특성은 VSM과 SQUID를 이용하여 관찰하였으며, 형상과 조성은 FE-SEM과 EDS를 이용하였다. 본 실험을 통해서 양극산화 알루미늄 기판에 채워진 Co-Pt합금의 저장매체로서의 응용 가능성을 확인하였다. |
