| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Character of copper films on molybdenum substrate by addition of titanium in an advanced metallization process |
| 초록 | TFT-LCDs에서 주로 사용하는 Al (2.71 μΩ-㎝)은 spiking과 migration으로 인하여 문제점을 발생시키고 있다. 또한 TFT-LCDs의 대면적화로 RC-delay가 발생하고 있다. 이러한 문제점을 보완하기 위하여 배선재료로서 Cu에 관한 연구가 진행되고 있다. Cu는 높은 결합에너지와 낮은 비저항(1.67 μΩ-㎝)으로 인하여 배선재료로서 좋은 특성을 가지고 있다. 하지만 Si과의 높은 반응성과 낮은 접착력 을 가지고 있어서 개선해야 할 필요성이 있다. 위 연구에서는 확산방지층과 접착층으로서 Cu와 immiscible 한 Mo를 사용하고, miscible 한 Ti을 첨가하면서 미세구조, 비저항, 확산특성, 우선배향성장, 접착력을 관찰하였다. Cu/Mo/SiO2의 구조에서 300 oC 에서 열처리를 실시했을 경우 비저항은 감소하지만 표면에 void가 형성하고, 500 oC에서 열처리시 void가 성장하는 것을 확인하였다. 반면에 Mo 하지층의 첨가원소(Ti)의 농도가 높아짐에 따라서 형성되는 void가 감소하였고, 더 높은 농도를 사용시 형성되지 않음을 확인 하였다. RBS분석을 이용하여 Cu 내부에 확산되어 나타나는 Ti로 인하여 Cu 박막내에서 void의 형성 억제하는 것을 확인하였고, 우수한 접착력을 확인하였다. |
| 저자 | 홍태기, 이재갑, 한두만 |
| 소속 | 국민대 |
| 키워드 | Metallization; Cu; Mo-Ti alloy |
