| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | A. Information and Sensor Materials(정보소재 및 센서) |
| 제목 | TiN 박막의 제작과 특성 |
| 초록 | 이 연구에서는 DC 스퍼터링 방법으로 p-Si(100)기판 위에 Ti 박막을 형성한 후 NH₃분위기에서 열처리하여 TiN 박막을 제작하고 열처리조건에 따른 구조적 특성을 조사하였다. Ti 박막은 초기진공도 3.0*10⁻⁶ Torr에서 Ar 가스를 주입하여 작업진공도 3 mTorr로 안정화 시킨 후 300W의 바이어스를 인가하면서 1 시간동안 증착하였다. 질화처리는 NH₃분위기 속에서 400~800 ℃의 온도범위에서 1 시간동안 수행하였다. TiN 박막의 구조적 특성은 XRD, AFM 및 XPS 등을 이용하여 분석하였다. 질화 처리된 박막의 XRD 패턴에서는 질화처리 온도가 400 ℃부터 700 ℃까지 증가함에 따라 TiN의 (200) 피크의 회절강도가 증가하였으며, XPS 분석결과 상당량의 산소가 함유되어 있는 것을 확인할 수 있었다. |
| 저자 | 한원석1, 송창호2, 변창섭1, 김선태2 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | Ti; TiN; DC sputter; Nitridation |
