| 초록 |
정방정계의 구조를 가지고 있는 NiO가 첨가된 SnO2 후막을 ink dropping 방법을 이용하여 폴리이미드의 유연한 기판위에 제조하였다. 매우 미세한 나노 구조의 입자로 구성된 SnO2을 하이드라진 합성 방법을 통하여 합성하였다. NiO의 첨가량이 증가 할 때마다 NiO가 첨가된 SnO2의 입자 크기는 점차 줄어드는 것을 알 수 있다. 그러나 3 wt%의 높은 첨가량에서는 응집되는 현상이 일어나는 표면 상태를 관찰되었다. 0.5 wt%의 NiO가 첨가된 SnO2에서는 56.50 m2/g의 비표면적을 갖는다. 10 마이크로미터의 간격으로 증착 된 Pt 전극에 NiO가 첨가된 SnO2를 ink dropping 방식으로 형성하였고, 균열이 없이 Pt 전극을 채울수 있었다. 또한, 순수한 SnO2 후막은 CO 가스의 농도가 각각 100 및 500 ppm 일 때 가스 반응 (Rair/Rgas)에서 1.19 및 1.65 이었다. 그리고, 0.5 wt%가 첨가된 SnO2의 후막에서는 각각 1.9 및 2.8로 향상된 가스 반응이 보였다. 향상된 가스 센서의 감도는 NiO가 첨가된 SnO2의 p-n heterojunction 접합의 형성에 의해 확장 된 공핍층과 관련이 될 수 있다. |
