| 초록 |
N2 gas는 Al 측벽의 보호 역할을 하지만, hard mask를 쓰는 공정에서의 특성은 잘 나타나질 않았고, CHF3 gas의 경우 PR의 주요 성분인 carbon이 없는 hard mask 특성에 carbon을 활성화 하여 측벽에 대한 효과를 나타났다. Wafer의 back면과 닿는 cattode temp의 경우 온도가 일정 온도가 높아짐에 따라 측벽에 대한 이방성 특성이 두드러졌으나 CD에 대한 margin 측면에서 원하는 결과를 만드는데 어려움이 있음을 알 수 있었다. 전 step 영향성인 photo step과의 측벽 파임 영향성에서도 ADI CD가 낮아 지면 파임의 현상이 worst 해지는 현상이 있긴 하나 그 영향성은 미비 함을 알 수 있었다. Etch이후 vds strip영향성 실험에서도 횟수등에 의한 영향성이 없는것으로 결론이 났으며, bias-rf power의 상승에도 크게 영향성이 없음을 알 수 있었다. 본 연구에서는 전,후 step이 현 공정에 미치는 영향에 대하여 중점 작성을 하였으며, org strip에 대한 chmical 평가에서 효과가 나타나는 것을 알 수 있었다. |
