초록 |
고효율의 유기발광소자 제작을 위해 투명전극으로 사용되는 ITO(Indium-Tin-Oxide)를 inductively coupled plasmas (ICP)을 이용하여 플라즈마 처리 조건 변화에 따른 ITO 일함수를 측정하고 OLEDs 특성을 분석하였다. O2와 CF4 가스로, RF 플라즈마 출력은 100 W, 150 W, 200 W로 가스압력은 79 mtorr, 96 mtorr로 변화실험을 하였다. ITO 의 일함수는 Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) 으로 측정하였다. O2 가스를 이용하여 plasma 처리한 ITO의 일함수는 5.69 ± 0.038 eV 의 값을 나타내었고 O2와 CF4 가스를 혼합하여 플라즈마 처리한 ITO는 5.89 ± 0.13 eV의 일함수를 나타내었다. O2+CF4 가스에서 의 압력이 96 mTorr이면서 플라스마 출력이 150 W의 조건에서 RF 플라즈마 처리한 ITO의 일함수가 가장 높게 나왔으며, 그 ITO로 제작한 소자의 특성이 우수하였다. ITO를 O2+CF4 플라즈마 처리후 제작한 소자는 9V의 전압에서 24240 cd/m2 휘도를 확인하였다. |