| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 봄 (04/27 ~ 04/28, 연세대학교) |
| 권호 | 7권 1호, p.2118 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | PEMOCVD법을 이용한 Si 기판 위에 증착된 ITO박막의 특성 변화에 관한 연구 |
| 초록 | ITO(Indium Tin Oxide)는 wide band gap(∼3.5 eV)을 갖는 산화물 반도체로서 이를 증착한 박막은 낮은 저항(∼2×10-4 Ω㎝)과 가시광 영역에서 높은 광투과도(∼90%)의 특성 때문에 LCD(Liquid Crystal Device) 및 EL(electroluminescent)등의 표시재료, 열반사재료, 전자차폐재료, 투명전극재료 및 정전기 차폐재료 등 다양한 분야에서 응용되고 있다. ITO는 In2O3 구조에 Sn+4이온이 In+3 이온을 대신해서 치환되어 있는 구조가 기본 구조이다. 즉 Sn+4 이온이 In+3 이온을 치환하고 이 과정에서 잉여 전자가 발생하게 되어, 이 잉여 전자가 전기전도에 기여하게 되는 것이다. 또한 Sn의 치환에 의해서만 전기전도도가 증가하는 것이 아니라 박막제조시에 chamber내의 산소 유량에 의해서도 전기 전도도가 증가 또는 감소하게 되는데 즉, 산소 공공(oxygen vacancy)이 발생하게 되고, 산소 공공의 형성에 따라 잉여 전자가 또한 만들어 지고 이 잉여 전자가 전기전도에 또한 기여하게 되는 것이다. 본 실험에서도 언급이 되겠지만 산소의 유량에 따라 In2O3의 회절피크가 확연히 달라지는 것을 알수 있었다. Si(100) 기판위에 증착된 ITO는 Schottky contact에서 요구 되어지는 낮은 저항에 기여할 수 있으리라 생각되어진다. 본 실험에서는 PEMOCVD(Plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition)법을 사용하여 Si(100) 기판위에 ITO를 여러가지 반응 온도 및 산소유량에 따라 증착을 하여 특성을 알아보았다. |
| 저자 | 박영철 |
| 소속 | 전북대 |
| 키워드 | PEMOCVD; ITO; LCD; In2O3 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
