| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 | 14권 1호 |
| 발표분야 | 에너지환경/생체재료 |
| 제목 | 고분자 열분해에 의해 제조된 SiOC/MoSi2/SiC 세라믹 복합체의 고온 산화 |
| 초록 | 최근 고분자재료를 이용한 세라믹복합체 개발이 활발히 진행되고 있으며 이들 고분자재료는 1200°C의 비교적 낮은 온도의 열분해과정에서 쉽게 세라믹으로 변환이 가능하다. polysilanes, -carbosilanes, polysilanzane, polysiloxanes등의 고분자화합물은 열분해과정에서 세라믹 변환율이 75% 이상으로 높아서 이들 재료를 이용한 세라믹 제조 개발이 기대되고 있다. 고분자재료의 좋은 성형성과 가공성을 이용하면 복잡한 형상의 제품제조가 가능하며, 낮은 온도에서의 세라믹으로의 변환, 또한 분자구조의 제어나 화합물의 조성 조절로 복합체나 나노 구조의 세라믹 복합체 제조가 용이하다. 따라서 본 연구에서는 취급과 세라믹 변환이 용이한 고분자 유기물로서 Polymethylsiloxane을 이용하기 위하여 Polymethylsiloxane에 Si, SiC, MoSi2를 첨가하여 발열체로 사용 가능한 전도성 SiOC/MoSi2/SiC 복합체를 제조하고, 제조된 SiOC/MoSi2/SiC 복합체의 특성 평가를 통하여 신공정의 새로운 세라믹 복합체를 개발하였다. 제조된 복합체는 고온 산화 시험에서 표면에 형성된 SiO2에 의해 고온과 저온에서 모두 우수한 내산화성을 보여주었다. 1000°C와 1300°C사이의 고온산화 시 생성된 얇은 아몰포스상인 SiO2층은 산화 중 결정상으로 변태되었다. 400°C와 500°C사이의 고온 산화시 초기 단계에서부터 얇은 SiO2층이 형성되어 복합체를 보호하였으며 순수한 MoSi2에서 관찰되는 pesting현상은 관찰되지 않았다. |
| 저자 | 이화신, 이동복 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | 폴리메틸실록산; MoSi2; SiC; 실리콘; SiO2; 산화 |
