화학공학소재연구정보센터
학회 한국화학공학회
학술대회 2001년 봄 (04/27 ~ 04/28, 연세대학교)
권호 7권 1호, p.2150
발표분야 재료
제목 N2 및 O2 플라즈마를 이용한 SiO2 2단계 증착 공정
초록 본 연구는 TEOS/O2를 이용한 저온 게이트 절연막의 계면 특성을 개선 시키기 위한 것이다. 이를 위하여 산소 및 질소 플라즈마 중간처리를 실시하였고, 산화막은 2단계로 증착하였다. 플라즈마를 초기 및 후처리하지 않고 중간 처리함으로써 평판플라즈마 증착시 발생하는 플라즈마 damage를 최소화시켰고 막특성을 보다 향상 시킬 수 있었다. 특히 산소 플라즈마 처리보다는 질소의 경우가 보다 우수한 막 특성을 보임을 알 수 있었다.

저자 이청, 이시우
소속 포항공과대
키워드 plasma-treatment; gate oxide; poly-Si
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