학회 | 한국화학공학회 |
학술대회 | 2001년 봄 (04/27 ~ 04/28, 연세대학교) |
권호 | 7권 1호, p.2150 |
발표분야 | 재료 |
제목 | N2 및 O2 플라즈마를 이용한 SiO2 2단계 증착 공정 |
초록 | 본 연구는 TEOS/O2를 이용한 저온 게이트 절연막의 계면 특성을 개선 시키기 위한 것이다. 이를 위하여 산소 및 질소 플라즈마 중간처리를 실시하였고, 산화막은 2단계로 증착하였다. 플라즈마를 초기 및 후처리하지 않고 중간 처리함으로써 평판플라즈마 증착시 발생하는 플라즈마 damage를 최소화시켰고 막특성을 보다 향상 시킬 수 있었다. 특히 산소 플라즈마 처리보다는 질소의 경우가 보다 우수한 막 특성을 보임을 알 수 있었다. |
저자 | 이청, 이시우 |
소속 | 포항공과대 |
키워드 | plasma-treatment; gate oxide; poly-Si |
원문파일 | 초록 보기 |