| 학회 |
한국공업화학회 |
| 학술대회 |
2008년 가을 (11/12 ~ 11/14, ICC 제주) |
| 권호 |
12권 2호 |
| 발표분야 |
정보전자소재 |
| 제목 |
Sequencial deposition of DCS and SiH4-based embedded-SiGe to overcome microloading effect |
| 초록 |
Performance 향상을 위하여 strain technology에 대한 요구는 최근 끊임없이 증가되어 SiGe을 pFET Source/Drain에 적용하여 mobility 증가로 특성을 향상시키는 방법이 널리 적용되고 있다. 그러나 이러한 구조는 SiGe의 두께 변화에 따라 소자특성이 변하게 되어 wafer내에서 균일한 특성을 가지는 SiGe를 증착시킬 수 있느냐가 핵심 이다. SiGe을 epitaxial하게 성장시키는 데 있어 DCS를 source 하여 SiGe을 성장 시 기판온도 구배에 의하여 영향을 받으며, 이에 비하여 SiH4 를 source 로 하여 성장 시 injector의 위치로 부터 wafer에의 거리에 영향을 받게 된다. 본 연구에서는 상호 보완적인 growth kinetics 특징을 분석 후 이를 조합하여, 이를 통해 SiGe thickness의 loading을 감소시키는 방법을 제안 하였다. |
| 저자 |
이용주1, 최정동1, 김명선2
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| 소속 |
1삼성전자 공과대, 2삼성전자 반도체 |
| 키워드 |
eSiGe; EPI; Epitaxial; strained Si
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| E-Mail |
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