| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2018년 봄 (05/16 ~ 05/18, 삼척 쏠비치 호텔&리조트) |
| 권호 |
24권 1호 |
| 발표분야 |
1. 마이크로 LED 제작 및 응용기술(Micro LEDs: fabrication and applications)-오거나이저: 이인환 교수(고려대) |
| 제목 |
마이크로 LED 구동을 위한 GaN FET 기술 |
| 초록 |
마이크로 LED 패널에서 각 LED 픽셀을 구동하기 위한 구동 IC는 기본적으로 shift register와 driving FET로 구성될 수 있으며 일반적으로 Si CMOS 기반의 inverter로 형태로 구현되고 저전력 소모를 위하여 낮은 문턱전압의 NMOS와 PMOS를 요구한다. Driving FET의 경우 LED를 구동하기 위하여 요구되는 전류에 따라 사양이 결정되며 마이크로 LED의 크기에 따라 최대 수십 mA 정도로 예상된다. Si CMOS 기반의 구동회로를 구성할 경우 GaN 마이크로 LED와의 온웨이퍼 상의 집적화가 불가능하고 패널에서 발생하는 열에 의한 Si 회로의 열화현상 문제도 충분히 고려되어야 한다. 이러한 관점에서 GaN 기반의 구동회로를 고려할 경우 물질 특성으로 볼 때 Si 보다 소형/고속의 IC 구현이 가능하고 고온신뢰성이 우수하기 때문에 소재적 장점에서 매우 유리하다고 볼 수 있다. 다만 GaN 기반의 CMOS 기술이 매우 초기 단계이기 때문에 실용화에 앞서서 여러 기술적 문제점이 해결되어야 한다. 본 발표에서는 GaN 기반 FET의 소재적 장점과 향후 마이크로 LED 구동 목적으로 사용하고자 할 때 예상되는 기술적 이슈에 대한 문제를 다루고자 한다. |
| 저자 |
차호영 |
| 소속 |
홍익대 |
| 키워드 |
<P>Micro LED; Gallium nitride; field-effect transistor; driving IC</P>
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