화학공학소재연구정보센터
학회 한국공업화학회
학술대회 2021년 봄 (05/12 ~ 05/14, 부산 벡스코(BEXCO))
권호 25권 1호
발표분야 포스터-에너지저장·변환
제목 Band-gap engineering in Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cell and its influence on Al2O3 passivation layer
초록 칼코지나이드계 CIGS태양전지에서 흡수층과 Mo후면전극 재결합 결함을 줄이기 위하여 후면에 Ga을 공급하여 밴드갭을 크게 만들거나 보호막을 사용하여 재결합 결함을 억제한다. 그 중에서 보호막은 강한 고정 음전하를 생성하여 전계효과를 나타나게 하며, 전자-정공 쌍이 재결합하지 못하게 하는 것으로 알려져 있다. 고효율 CIGS 태양전지에 제조를 위해 보호층 형성 시, 광흡수층 후면에 있는 Ga의 농도가 보호층에 어떠한 영향을 미치는지 이번 연구에서 확인해보았다. Mo 후면전극이 있는 기판 위에 Al2O3 보호층을 형성하고, 후면전극 방향에 다른 Ga 함유량을 갖는 CIGS 광흡수층을 증착하였다. 후공정을 진행하여 태양전지 소자를 제작하고, 제작된 소자의 전기적 광학적 특성을 비교하였다.
저자 전동환, 박시내, 김영일, 이재백, 황대규, 양기정, 성시준, 김대환, 강진규
소속 DGIST
키워드 CIGSe; CISe; Solar cell; 3-stage; Low band gap; Local contact
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