| 초록 |
항공/위성용 태양전지는 부착 형태 및 면적이 제한되어있고 자체 부양을 해야 하기 때문에 초고효율·초경량·플렉시블 성능이 요구된다. III-V 화합물 반도체는 III족 원소 (In, Ga, Al)와 V족 원소 (As, P)의 다양한 조합으로 0.33부터 2.32 eV 까지 밴드갭을 가지는 다양한 박막 제조가 가능하여 다중접합을 통해 태양광 스펙트럼 (300~2500 nm)의 모든 대역에 걸쳐 흡수가 가능하며, 또한 GaAs 또는 InP 기판상 성장되는 박막은 높은 흡광계수로 인하여 얇은 광흡수층 (＜ 15 ㎛)을 가지고 유연기판에 전사가 가능하여 무게를 초경량화 함과 동시에 플렉시블한 태양전지 제조가 가능한 항공/위성용 태양전지에 최적화된 소재이다. 본 연구에서는 GaAs 기판상 격자 정합을 이루는 두 물질 (GaAs, InGaP)과 InP 기판상 격자 정합을 이루는 두 물질 (InGaAs, InGaAsP)을 사용하여 가시광선 영역의 2중대역과 근적외선 영역의 2중대역 흡수층을 갖는 고품위의 에피기판을 각각 성장함과 동시에 웨이퍼 본딩 기법을 통해 4중 대역 흡수층이 포함된 에피기판을 구현하고, ELO 공정을 통해 유연기판에 전사하여 고경량, 초고효율, 플렉시블 III-V 태양전지를 개발하고자 한다. |
