| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 가을 (11/16 ~ 11/18, 경주 현대호텔) |
| 권호 | 22권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | Deflection-free Al2O3 membrane achieved by 2-step ALD technique |
| 초록 | Recently, our research group developed a ground-breaking scheme of GaN using cavity engineered sapphire substrate (CES) to achieve high-efficiency GaN-based LEDs [1]. In the CES scheme, GaN was grown on the crystalline |
| 저자 | 임혜진1, 이동현1, 장정환1, 배덕규2, 박용조1, 윤의준1 |
| 소속 | 1서울대, 2헥사솔루션 |
| 키워드 | Al2O3 박막; CES |
