| 초록 |
최근 유연기판 디스플레이의 필요성이 증대됨에 따라 고이동도를 갖는 새로운 반도체 유기저분자물질 및 고분자의 연구가 활발하다. 대부분의 고분자반도체는 전자의 이동도보다 정공의 이동도 크기가 훨씬 크기 때문에 p형의 반도체고분자는 많은 반면, n형의 반도체고분자물질은 비교적 그 종류가 적다. 보고된 기존의 n형고분자를 보면, 전자의 이동도가 낮고, 공기 또는 빛에서의 안정성이 좋지 않을 뿐만 아니라, 그리고 주쇄의 강직한 π-공액구조로 용해도가 좋지 않기 때문에 화학적으로 안정하면서 가용성인 n형 반도체 고분자가 요구되고 있다. 본 연구는 새로운 n형의 반도체 고분자를 합성하는 것을 목적으로, 주쇄는 pyridovinylene이 도입되고, 주쇄의 수직방향으로는 pyridoquinoxaline이 도입되고, 그리고 측쇄에 tert-butyl기가 치환된 새로운 poly(pyridoquinoxaline vinylene)을 합성하였고, 그 특성을 조사하였다. 우선 3,4-diaminopyridine을 보롬화하여 3,4-diamino-1,5-dibromopyridine을 합성을 한 후, 이것을 몇 가지 tert-butylated benzoquinone과 축합반응시켜, 새로운 dibromopyridoquinoxaline 단량체를 합성하였다. 이들과 1,2-bis(tri-n-butylstannyl)ethylene 화합물을 tetrakis(triphenylphosphine)palladium촉매로 Stille coupling하여, 새로운 n형 반도체 고분자 poly(pyridoquinoxaline vinylene)을 성공적으로 합성하였다. NMR을 이용하여 diketone과의 축합반응시 생성되는 단량체 이성체들의 구조와 합성된 고분자의 구조를 분석하였고, GPC를 이용한 분자량, 자외선-가시광선 분광기를 이용한 흡수스펙트럼, 고분자의 용해도, cyclic voltammetry를 이용한 band gap 에너지 등을 측정하였고, 기타 반도체특성을 조사하여 발표한다.
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