| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2004년 가을 (11/05 ~ 11/05, 인하대학교) |
| 권호 | 10권 2호 |
| 발표분야 | 기타 |
| 제목 | SiO2 나노와이어의 성장에 미치는 가스의 영향 |
| 초록 | SiO2 나노와이어는 그 물리적 화학적 특성이 우수하여 내고온 소재및, 전자디스플레이용소자 재료로 주목받고 있다. 특히 나노와이어의 초기 단계부터 연구가 진행되어 왔으며, 나노와이어의 성장기구를 밝히는데 큰 역황을 담당하고 있다. 특히 여러가지 촉매에 대한 반응성이 뛰어나서 새로운 형상을 가진 나노와이어 및 나노구조를 가진 물질이 발견되고 있다. 특히 Ga, In, Cu를 촉매로 사용한 경우, octopus-like, spring-like등의 형상이 발견되어 흥미로운 연구대상이 되고 있다. 본 연구에서는 이러한 촉매의 영향과 동시에 기상증착시 분위기 가스로 공급되는 가스의 종류를 변화 시킴으로서 양과 종류에 따른 나노와이어의 물리적, 화학적 특성 변화를 관찰하였다. SiO2 나노와이어의 성장에 있어서 공급되는 가스 내부의 산소양이 큰 비중을 차지함을 알수 있었으며, 그 양에 따라 성장기구가 조금씩 변화된다는 사실을 확인할 수 있었다. 또한 이러한 성장기구의 변화가 성장속도에 영향을 줌으로서 결정성과 성장방향에 큰 영향을 주는 것을 확인할 수 있었다. This research was supported by a grant(code #:04K1501-03110) from 'Center of Nanostructureed Materials Technology' under '21st Century Frontier R&D Programs' of Ministry of Science and Technology, Korea. |
| 저자 | 노대호1, 김재수2, 변동진1, 이재훈3, 양재웅4, 진정근1, 김나리1 |
| 소속 | 1고려대, 2한국과학기술(연), 3한국생산기술(연), 4대진대 |
| 키워드 | SiO2; 나노와이어; 가스의 영향 |
