| 초록 |
고유전율 및 ferroelectric 성질을 갖는 BaTiO3(BT) 와 SrTiO3(ST) 그리고 BaXSr1-XTiO3(BST)박막은 비휘발성 ferroelectric 기억소자, electro-optical 장 치, 고용량 DRAM 커패시터 등 많은 응용분야에서 사용이 기대되는 기능성 재료이 다.전기화학적 방법에 의한 BT, ST, BST박막제조는 낮은 온도에서 Ba+2, Sr+2을 함유한 강 알칼리용액 내에서 금속Ti박막을 이용하여 양극산화를 이용하여 합성 하는 방법이다. 이는 기존의 PVD, CVD법이 지닌 결점을 보완하면서 낮은 온도에 서 결정성이 좋은 재료를 얻을 수 있으며 불규칙한 기판표면 위에도 균일한 두께 의 박막성장이 가능하며 그 속도가 빠르고 장치가 간단한 장점을 지니고 있다. 본 연구에서는 전압·전류 등의 전기화학적 조건이 BT 및 ST박막 제조에 미치는 영향을 통해 BST 형성시의 구조변화를 조사하였으며, 반응도중의 무게변화를 측정 하여 반응기구를 분석하였다.
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