| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 광전류 분광기에 의한 CdIn2Te4 결정의 띠간격 에너지와 가전자대 갈라짐에 대한 연구 |
| 초록 | CdIn2Te4 단결정은 Bridgeman법으로 3단 수직로에서 성장시켰다. 광전류 측정으로부터 A, B, C 3개의 봉우리가 측정되였으며, Γ7(A), Γ6(B), Γ7(C)의 가전자대에서 Γ6 전도대로 띠간 전이에 의한 A, B, C 3개의 봉우리가 발견되었다. 또한 CdIn2Te4 결정의 가전자대 갈라짐은 광전류 분광법으로 처음으로 확인되었다. 결정장 갈라짐 에너지과 회전 궤도 갈라짐 에너지는 각각 0.2360, 0.1119eV로 측정되었다. 또한 CdIn2Te4 결정의 온도에 의존하는 에너지 띠간격은 Eg(T)=Eg(0)-(9.43×10-3)T식으로 계산되었다. 이 식에서 Eg(0)는 가전자대 A, B, C에 대해 각각 1.4750, 1.7110, 1.8229eV로 측정되었다. CdIn2Te4의 띠 간격 에너지는 상온에서 1.2023eV로 결정되었다. |
| 저자 | 이상열, 홍광준 |
| 소속 | 조선대 |
| 키워드 | 가전자대 갈라짐; 결정장 갈라짐 에너지; 회전 궤도 갈라짐 에너지; 에너지 띠간격; 광전류 분광법 |
