| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2010년 봄 (04/22 ~ 04/23, 대구 EXCO) |
| 권호 |
16권 1호, p.260 |
| 발표분야 |
미립자공학 |
| 제목 |
열플라즈마에 의한 ITO 제조공정과 광학적, 전기적 특성 |
| 초록 |
ITO(인듐 주석 산화물)는 디스플레이 분야에 가장 많이 사용되고 있는 투명전극재료이다. 이 실험에서는 수산화인듐(In(OH)3)과 이염화주석（SnCl2）의 몰비를 조절하여 혼합한 후 열플라즈마에 주입한 후 몰비가 다른 ＩＴＯ 분말을 얻었다． 합성된 ITO분말은 주사전자현미경（ＳＥＭ）과 투과전자현미경（ＴＥＭ） 분석 결과 １０～５０ｎｍ의 입자 크기의 입방형 입자인 것으로 확인되었다． 또한 주석의 도핑량과 그에 따른 변화를 살피기 위해 Ｘ선 회절 분석기（ＸＲＤ）， 유도결합 플라즈마 원자 분광기（ＩＣＰ－ＯＥＳ）가 사용되었다. 또한 주석의 몰 함량에 따른 투명전극으로써의 성능을 평가하기 위하여 전기전도도와 가시광선 영역에서의 투과도가 측정되었다. 13.53%의 주석을 포함하는 ITO분말이 가장 좋은 전기적 특성을 나타내었으며 이보다 주석의 함량이 높아지면 전기전도도는 감소하는 현상을 보였다. |
| 저자 |
김동욱, 박동화
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| 소속 |
인하대 |
| 키워드 |
ITO; 도핑
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| 원문파일 |
초록 보기 |
