| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2004년 가을 (11/05 ~ 11/05, 인하대학교) |
| 권호 | 10권 2호 |
| 발표분야 | 반도체 II(화합물) |
| 제목 | CdSSe 다결정 후막 광전도 셀 제작과 특성 |
| 초록 | 인쇄/소결 방법으로 가시영역에서 광감도가 매우 큰 CdSSe 다결정 후막을 만들고 이를 이용하여 광전도 셀을 제작하였다. 후막의 낱알 크기는 5m 정도이였다. 광전도 셀은 소결 촉진제로 첨가한 양이 CdSSe 1 g당 3.06~0.10 mg 정도이면 감도, 광전류와 암전류의 비율이 각각 0.7과 이상을 나타내었고, Cds 와 CdSe 의 질량비가 1:0, 9:1, 8:2, 7:3, 6:4, 5:5일 때 응답파장은 각각 500nm, 520nm, 540nm, 570nm, 620nm, 660nm였다. 또한 주파수 특성을 나타내는 응답시간은 오름시간과 감쇠시간이 각각30관 20ms 정도이였으며 최대허용 소비 전력은 80mw이상이었다. 이상과 같이 인쇄/소결 방법으로 제작된 광전도 셀은 양이 CdSSe 1g당 0.06~0.10 mg 정도 주입되면 센서로써 좋은 특성을 나타내었다. |
| 저자 | 이상열, 홍광준, 김현 |
| 소속 | 조선대 |
| 키워드 | 인쇄/소결법; CdSSe 다결정 후막; 광전도 셀; 광전류와 암전류; 응답시간; 허용 소비 전력 |
