| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Sputtering 조건에 따른 Sn02 박막 가스센서의 전기적 성질에 관한 연구. |
| 초록 | 반도체식 가스센서는 반도체 표면에 가스가 접촉하였을 때 발생하는 전기전도도의 변화를 이용하며 주로 고온산화성 분위기에서 작동하므로 금속산화물이 사용된다. 사용되는 금속산화물로는 Zn0, Sn02, Fe203등이 주로 사용되며 현재 Sn02가 상용화 되어 많이 사용되고 있다. 본 연구에서는 Sn02 반도체 가스센서를 RF magnetron sputtering법을 이용하여 제작하였다. sputtering 조건은 RF power50~150W, deposition time 60~150min, substrate 온도 실온~ 300℃로 변화시켰고, target과 substrate사이의 거리는 35mm로 고정하였다. 또한 센서의 안정화를 위해 산소 분위기에서 열처리를 실시하였으며, 열처리온도 300~700℃, 유지시간 30~180분으로 하여 sputtering조건과 열처리 조건으로서 Sn02 thin film의 grain size를 조절하였다. 각 조건에 따른 grain size와 박막의 두께 그에 따른 전기적 성질을 조사하였으며, 이에 대한 결정 구조 해석을 위해 XRD측정을 하였으며 조직형태를 관찰하기 위해 SEM, TEM을 사용하였고, 박막두께 측정은 α-step 2000으로 측정하였다. 따라서 본 연구에서는 sputtering 조건을 변화시킴으로서 나타나는 Sn02 thin film의 grain size의 크기 및 형태 이에 미치는 전기적 성질에 대해 조사하였다. Reference 1. J. F. Chag, H. H. Kuo, I. C. Leu, M. H. Hon, Sensor and Actuators B 84 (2002) 258-264 2. J. U. Park, "Sn02 gas sensor" Electrical and Electronic materials, 11(12), 34-40, 1998 3. F. Chaabouni, M. Abaab, B. Rezig, Material Science and Engineering B 109 (2004) 236-240 |
| 저자 | 이진혁, 맹기호, 이명호, 최종운, 강계명 |
| 소속 | 서울산업대 |
| 키워드 | Sn02 |
