| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트) |
| 권호 |
15권 1호 |
| 발표분야 |
반도체재료 |
| 제목 |
선형 질소 이온 주입 농도에 따른 사파이어 기판 상 MOCVD를 이용한 GaN 수평 성장 |
| 초록 |
선형으로 질소 이온 주입된 (0001) 사파이어 기판 상 MOCVD를 이용하여 수평 성장된 GaN을 얻었다. (0001) 사파이어 기판 상 67.5KeV의 에너지를 가진 질소 이온이 각각 2×1016cm-2, 2×1017cm-2 그리고 5×1017cm-2만큼 주입되었으며, 질소 이온은 반복된 선형의 패턴을 가지는 마스크를 통하여 주입되었다. 이온 주입을 통하여 기판 상 12㎛ 간격의 4㎛ 두께를 가지는 질소 이온 주입된 영역이 생성되었으며, 이온 주입된 선형의 패턴은 (0001) 사파이어 기판의 플랫에 수직한 방향으로 생성되었다. 준비된 기판 상 MOCVD를 이용하여 GaN의 성장이 이루어 졌으며, 이온 주입된 영역은 이온 주입 농도가 증가함에 따라 이 영역 위의 GaN 수직 성장을 방해하고, 이온 주입되지 않은 영역으로부터의 수평성장이 일어나게 하는 역할을 하였다. 수평 성장을 통하여 얻은 GaN을 광학적, 구조적으로 분석하였으며, 수평 성장을 도입하여 성장된 GaN은 기존의 수직방향으로 성장된 GaN보다 우수한 결정성을 가지는 것을 알 수 있었다. 또한 질소 이온 주입량을 조절하여 수평성장을 유도 할 수 있음을 관찰 하였다. |
| 저자 |
이광택1, 김범준1, 진정근2, 이재상3, 변동진1
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| 소속 |
1고려대, 2한국 광기술원 LED 소자팀, 3한국원자력(연) |
| 키워드 |
질소; 이온주입; GaN; MOCVD
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| E-Mail |
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