| 초록 |
PI(polyimide)는 높은 내열성과 낮은 유전율, 우수한 기계적 특성 및 내약품성이 우수한 고분자로서 IC, 회로기판 및 TFT-LCD를 기초로 하는 전자제품의 절연재료 및 코팅재료로서 이용되고 있으며, 최근에는 반도체 제조의 층간 절연막 및 보호막 등의 용도로 연구 개발되고 있다. 하지만 300℃ 이상의 온도에서 이미드화가 진행되므로 저온 공정을 요구하는 전자부품 소재 제조 공정 적용에 한계점이 되고 있다. 본 연구에서는 촉매를 사용한 이미드화 방법을 통해 저온 경화조건에서 PI필름을 제조하는 공정개발을 목적으로 한다. 아민 촉매를 이용하여 200℃이하에서 이미드화 반응을 진행하였고, 촉매의 종류, 촉매의 함량, 경화 온도 등에 따른 이미드화 반응 속도를 조사하였다. 또한 아민 촉매에 의한 반응속도 증가와 활성 메카니즘을 알아보기 위해 모델 이미드화 반응에서 deuterium 치환 기질을 사용하여 이미드화 반응에서 나타나는 isotope effect를 조사하였고, 이미드화 반응에 대한 촉매작용의 부분적인 메카니즘을 확인하였다. |
