| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2021년 봄 (05/12 ~ 05/14, 부산 벡스코(BEXCO)) |
| 권호 | 25권 1호 |
| 발표분야 | 포스터-나노 |
| 제목 | In2O3 양자점으로 도핑된 multilayer ReS2 트랜지스터의 전기적 특성 분석 |
| 초록 | 최근 2차원 재료가 반도체 소자의 채널물질로 많은 주목을 받고 있으며, 밴드갭(band gap) 조절에 관한 연구 또한 관심을 끌고 있다. 도핑(doping)은 밴드갭을 조절할 수 있는 방법 중 하나로, 본 연구에서는 In2O3 양자점을 이용한 도핑을 제안하며, n-type 도펀트(dopant)로써의 그 활용 가능성을 확인하였다. 채널 물질로는 두께에 따른 밴드갭 의존성이 적은 multilayer ReS2를 사용하였고, In2O3 양자점 용액으로 도핑 정도를 조절하였다. N-type 도핑 특성을 확인하기 위해서 photoluminescence (PL)과 라만 분석을 수행하였으며, multilayer ReS2 전계 효과 트랜지스터(FET)를 제작하여 도핑 전후의 전기적 특성을 측정 및 비교 분석하였다. |
| 저자 | 조혜란, 김규태 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | 양자점; FET |
