| 초록 |
Low-temperature Solution-Processed High-k LaZrOx Dielectric for High performance IGO TFTs Sueon Lee, Sihyung Lee and Jaekyeong Jeong Dept. of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Korea 플랫-패널 디스플레이, 센서 및 플렉서블 디스플레이를 위한 대면적, 저비용 전자 제품의 개발을 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 이를 위해서는 저온 공정이 요구되는데, 일반적으로 사용되고 있는 SiO2 게이트 절연박막은 공정 온도가 300도 이상이 필요하다. 또한, 소자 집적화 측면에서 절연박막 두께의 한계점이 있으므로, 이를 대체하기 위해 SiO2(K~3.9)에 비해 큰 유전상수를 가지는 절연박막 개발의 중요성이 대두되고 있다. 본 연구에서는 고유전상수를 가지는 Lanthanum oxide(k~27)과 Zirconium oxide(k~25)물질을 혼합하여 용액으로 제작하였다. 박막용액 제조시 산화제를 첨가하여 핀홀 또는 기공과 같은 구조적 결함을 유도하는 잔여 유기물들을 분해 및 증발시켰고, Deep UV 공정을 적용하여 전체 공정온도를 180℃ 이하로 낮추었다. LaZrOx 용액을 스핀코팅 방식으로 코팅한 후 Deep UV 와 Thermal annealing을 동시 진행하여 전기적 특성을 비교하였다. Duv의 강한 photon energy 에 의해 낮은 온도에서도 우수한 절연특성을 가지는 LaZrOx 절연박막을 제작할 수 있었다. 또한, IGO를 채널로, ITO를 소스/드레인으로 하는 Bottom gate 구조 TFT를 180도에서 제작하였다. High-k 절연박막을 적용함으로써, 저전압 구동 및 낮은 S.S, 고이동도 특성을 가질 수 있었다. |
